Содержание

Каталог Микросхемы для работы с сетевым напряжением Микросхемы для импульсных источников питания Микросхемы для линейных источников питания Микросхемы для управления двигателями Микросхемы операционных усилителей Микросхемы операционных компараторов Микросхемы детекторов Микросхемы коммутаторов напряжения Микросхемы коммутаторов тока Микросхемы ключей Микросхемы для автоэлектроники Микросхемы преобразователей напряжения Микросхемы для телефонии Транзисторы Диоды Силовые модули транзисторов (IGBT) Силовые модули диодов (FRD) Силовые модули тиристоров Силовые модули разных сборок КСДИ-структуры 1. Микросхемы для работы с сетевым напряжением 1182ГГ2 Высоковольтный полумостовой автогенератор. ЭПРА компактных люминесцентных ламп мощностью до 13 Вт. 1182ГГ3 Высоковольтный полумостовой автогенератор, преобразующий выпрямленное сетевое напряжение в высокочастотное напряжение 30-50 кГц для гальванически развязанных вторичных источников питания мощностью до 12 Вт и галогенных ламп. 1182ГГ4 Высоковольтный полумостовой автогенератор. ЭПРА компактных люминесцентных ламп мощностью до 20 Вт. 1182КП1 Диодный симистор с фиксированным напряжением открывания для стартовых цепей автогенераторных схем, мощных тиристоров (симисторов), для коммутации тока через нити подогрева маломощных люминесцентных ламп до момента зажигания лампы. Uon=8.5В-105B, Imax=1A. 1182КП2 Высоковольтный фазовый регулятор, функционально аналогичный газоразрядному стартеру люминесцентных ламп. Uon>500 B, Imax=1A. 1182КП4 Диодный симистор с фиксированным напряжением открывания для стартовых цепей автогенераторных схем, мощных тиристоров (симисторов), для коммутации тока через нити подогрева маломощных люминесцентных ламп до момента зажигания лампы. Uon=10В-340B, Imax=100мA. 1182КП5 Высоковольтный драйвер для вращения двигателя (электробритвы, вентиляторы) (сетевой адаптер), преобразующий сетевое напряжение от ~110 В до ~220 В в постоянное напряжение от 10 В до 150 В. 1182ПМ1 Фазовый регулятор для плавного вкл./выкл. ламп накаливания, регулировки яркости, управления мощными симисторами. U=240VAC, Uост.=2.0VAC, Pнагр.=150W. 1182СА1 Двухфазный контроллер сетевого питания. Автоматическое прерывание сетевого питания для защиты человека от поражения электрическим током, для защиты нагрузки от перенапряжения. Ui=400 B, tсраб.=10 мс, dIсраб.=5 мА, Iупр.=300 мА 2. Микросхемы для импульсных источников питания 1033ЕУ15,16 ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц. 1156ЕК Импульсный стабилизатор напряжения на нагрузку до 3А. Модификация с фиксированным выходным напряжением 3.3В,5В,12В и с программируемым выходным напряжением от 1,2В до 37В. 1156ЕУ1 ИС управления и регулирования импульсными источниками питания. Us=3-40B, Is=1А, fsmax=0.1-100кГц. 1156ЕУ2,3 ИС управления двухтактными ИСН. Us=30В, Is=1.5А, fs=1MГц, tзад=50нс. 1156ЕУ4 Контроллер с фазовой модуляцией для импульсных источников питания. Us=12-20B, Is=3А, fsmax=2MГц. 1156ЕУ5 DC-DC конвертер. Us=3-40В, Is=1.5А, fs=0.1-100кГц. 1290ЕК,ЕФ Импульсный стабилизатор напряжения на нагрузку до 3А. Модификация с фиксированным выходным напряжением 3.3В,5В,12В,15В и с программируемым выходным напряжением от 1,2В до 37В. 3. Микросхемы для линейных источников питания 1156ЕН1 "Low drop" стабилизатор положительного напряжения на 5В со схемой "Сброс". Uвх.max=26В, Uвых.=5В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В. 1156ЕН5 Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В , Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В. 1156ЕР2 Регулируемый ЛСН с малым падением напряжения и низкой потребляемой мощностью. Uвх.=4.5-35В, Uвых.=1.5-30В, Iвых.=2А. 1156ЕР5 Регулируемый стабилизатор напряжения параллельного типа. Опорное напряжение - 2,47-2,52В, напряжение на катоде не более 36В. 1158ЕН "Low drop" стабилизатор положительного фиксированного напряжения. Uвых.=3(2.5)-15В с дискретностью 0.1В 1277ЕН Микромощный "Low drop" cтабилизатор положительного фиксированного напряжения. Входное напряжение до 30В, ток нагрузки 100мА 1278ЕН "Low drop" cтабилизатор положительного фиксированного напряжения. Ui=(7В,12В), Io=(0.8А,1А,3А,5А). 1278ЕР1 "Low drop" cтабилизатор положительного регулируемого напряжения. Ui=(7В,12В), Io=(0.8А,1А,3А,5А). 1336ЕН Непрерывные фиксированные положительные стабилизатор напряжения с малым падением напряжения и низкой потребляемой мощностью. 4. Микросхемы для управления двигателями 1128КТ3 Четырёхканальный полумостовой коммутатор тока. Us=4.5-36В, Is=1А. 1128КТ4 Четырёхканальный полумостовой коммутатор тока с внутренними ограничительными диодами на выходах. Us=4.5-36В, Is=0.6A. 1460УД2 Сдвоенный мощный операционный усилитель для управления электродвигателями постоянного тока. Io=1А, dUo/dt=1.3В/мкс, f=1.1МГц. 5. Микросхемы операционных усилителей 1407УД2 Программируемый малошумящий операционный усилитель. Ucc плюс-минус 6...12 В, Ку>50000, Uсм<5мВ, Iвх<150нА, Iпот<100мкА, f1>3МГц, Кос,сф>70дБ. 1464УД1 Сдвоенный микромощный операционный усилитель. Ucc=3В -:- 32В, -/+1.5В -:- -/+16В. 1464УД2 Счетверенный микромощный операционный усилитель. Ucc=3В -:- 32В, -/+1.5В -:- -/+16В. 6. Микросхемы операционных компараторов 1464СА1 Сдвоенный микромощный компаратор напряжения. Ucc=2В -:- 36В, -/+1В -:- -/+18В. 1464СА2 Счетверенный микромощный компаратор напряжения. Ucc=2В -:- 36В, -/+1.0В -:- -/+18В. 7. Микросхемы детекторов 1230ДН1 Универсальный детектор напряжений. Ucc=2(4)В -:- 40В, Isink max=20мА. 1230ДП46,87 Детектор понижения напряжения в системах с 5-ти и 9-ти вольтовым питанием. 8. Микросхемы коммутаторов напряжения 1109КН12 8-ми разрядный коммутатор анодного напряжения для управления газоразрядными индикаторами. Uсс=90В, Us=90В, Is=30мА. 1109КН15 6-ти разрядный драйвер сеток вакуумных индикаторов. Последовательный регистр, регистр-защелка. Uсс=5В, Us=минус 100В, Is=0.5мА. 1109КН16 8-ми разрядный коммутатор анодного напряжения для управления газоразрядными индикаторами. Uсс=110В, Us=110В, Is=30мА. 1109КН17 Высоковольтный катодный декодер/драйвер (четыре к семи). Uвых=110В, Is=(0.18-2.0)мА. 1109КН18 8-ми разрядный коммутатор катодного напряжения для управления газоразрядными индикаторами. Us=125В, Uo=100В, Io=0.85мА. 1109КН19 8-ми разрядный коммутатор катодного напряжения с токоотводом для фиксации уровня выходного тока для управления газоразрядными индикаторами. Uo=125В, Io=1.2мА. 9. Микросхемы коммутаторов тока 1109КТ8 Четырехканальный биполярный коммутатор тока с логикой на входе. 1109КТ11 Четырехканальный биполярный коммутатор тока с логикой на входе. 1109КТ13 Многофункциональная БИС с встроенной схемой контроля, предназначенной для управления нелинейными элементами. 1109КТ14 Двухканальный биполярный коммутатор тока. 1109КТ15 Двухканальный полумостовой драйвер индуктивных нагрузок. 10. Микросхемы ключей 1109КТ21 Набор мощных составных ключей индуктивных нагрузок. U=50 B, I=500 мА 1109КТ22 Набор мощных составных ключей индуктивных нагрузок. U=50 B, I=500 мА 1109КТ23 Набор мощных составных ключей индуктивных нагрузок. U=50 B, I=500 мА 1109КТ25 Набор мощных составных ключей индуктивных нагрузок. U=50 B, I=500 мА 1233КТ2 Микросхема электронного кодового ключа для систем контроля и управления доступом контактного типа (268 435 456 комбинаций кода). 11. Микросхемы для автоэлектроники 1055ХВ7 Микросхема управления реле включения ламп автомобиля. 1055ХП2 Контроллер электронного коммутатора для бесконтактных систем зажигания с датчиком Холла. 12. Микросхемы преобразователей напряжения 1224ПН1 DC-AC преобразователь низкого входного напряжения питания (2-5В) в высокое (60-200В)для подсветки ЖКИ. 1224ПН3 DC-AC преобразователь низкого входного напряжения питания (2-5В) в высокое (60-200В)для подсветки ЖКИ. 1224ПН4 DC-AC преобразователь низкого входного напряжения питания (2-5В) в высокое (до 200В)для подсветки ЖКИ. 1224ПН5 DC-AC преобразователь низкого входного напряжения питания (2-5В) в высокое (до 200В) для подсветки ЖКИ. 13. Микросхемы для телефонии 1059КН2 ИС электронного коммутатора телефонной линии для систем охранной сигнализации (электронный аналог реле РПС-34) 14. Транзисторы Т222 Согласованная пара транзисторов. Ubr=60В, I=10мкА-:-1мА, Rсогл_Ube=3mB. Т863 Кремниевый n-p-n транзистор. Imax.=12A, Imax.имп.=15А, UкеR>160В(R=1кОм), h21>200 с малым изменением в диапазоне рабочих температур -60грд.С...+130 грд.С 15. Диоды Д636 Пара диодов Шоттки с общим катодом: Imax.=2*15A, Imax.имп.=2*30А, Uпр.=1.2В при I=15A, tвост.<80нсек, Uобр.=60В, 120В, 200В, 400В, 600В, 800В Д637 Пара диодов Шоттки с общим катодом: Imax.=2*25A, Imax.имп.=2*50А, Uпр.=1.4В при I=25A, tвост.<100нсек, Uобр.=60В, 120В, 200В, 400В, 600В, 800В Д638 Пара диодов Шоттки с общим катодом: Imax.=2*5A, Imax.имп.=2*8А, Uпр.=1.0В при I=5A, tвост.<60нсек, Uобр.=30В, 40В, 60В, 90В, 120В, 160В, 200В Б1220 Согласованная пара диодов. Коэффициент передачи фототоков - +/-3%, напряжения пробоя изоляции - не менее 1500 Вrms. Д2149 Быстровосстанавливающийся диод. Постоянный прямой ток 1 А, обратное напряжение до 200 В. 16.Силовые модули транзисторов (IGBT) М435 Биполярный транзистор с изолированным затвором. Uкэmax=1200В, Iкmax=200А, 300А, 400А. MK431 Биполярный транзистор с изолированным затвором. Uкэmax=1200В, Iкmax=100А, 150А, 200А. MK432 Биполярный транзистор с изолированным затвором. Uкэmax=1700В, Iкmax=100А, 200А. MK441 Биполярный транзистор с изолированным затвором. Uкэmax=1200В, Iкmax=200А, 300А, 400А. MK442 Биполярный транзистор с изолированным затвором. Uкэmax=1700В, Iкmax=300А, 400А. 17.Силовые модули диодов (FRD) Д510 Кремниевые диоды с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 600В, Iпр. = 2х30А, 2х50А, Iпр. = 75А, 100А. Д511 Кремниевые диоды с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 600В, 1200В, Iпр. = 2х30А, 2х50А, 2х75А, 2х100А. Uобр.max = 1200В, Iпр. = 75А, 100А. Д512 Кремниевые диоды с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 1700В, Iпр. = 2х30А, 2х50А, Iпр. = 75А, 100А. Д521 Два кремниевых диода с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 1200В, Iпр. = 2х75А, 2х100А. Д522 Два кремниевых диода с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 1700В, Iпр. = 2х75А, 2х100А. Д541 Два кремниевых диода с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 600В, Iпр. = 2х300А. Д542 Два кремниевых диода с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 1700В, Iпр. = 2х400А. Д2117 Кремниевый диод с малым временем обратного восстановления. Постоянный прямой ток через диод до 100А, обратное напряжение до 1200В. М10-25 Четыре кремниевых диода (мост). Uобр.max = 800В-1200В, Iпр. = 4х25А. МД1-100 Кремниевый диод. Uобр.max = 800В-1600В, Iпр. = 100А. МД1-120 Кремниевый диод. Uобр.max = 400В-800В, Iпр. = 120А. МД2-40 Два кремниевых диода. Uобр.max = 800В-1200В, Iпр. = 2х40А. МД2-63 Два кремниевых диода. Uобр.max = 400В-800В, Iпр. = 2х63А. МД6-40 Два кремниевых диода, расположенных встречно. Iпр. = 40А. МД6-63 Два кремниевых диода, расположенных встречно. Iпр. = 63А. МДЧ2-40 Два кремниевых диода с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 400В-1200В, Iпр. = 2х40А. МДЧ2-63 Два кремниевых диода с малым временем обратного восстановления. Uобр.max = 600В-1200В, Iпр. = 2х63А. МД17-9 Модуль диодный. Uобр мах = 100В, Iпр мах = 9А. 18.Силовые модули тиристоров МПТ16-80 Четыре тиристора, по два из которых расположенных встречно. Uобр.max = 800В-1200В, Iпр. = 80А. МТ1-40 Тиристор. Uобр.max = 800В-1200В, Iпр. = 40А. МТ1-100 Тиристор. Uобр.max = 800В-1200В, Iпр. = 100А. МТ6-40 Два тиристора, расположенных встречно. Uобр.max = 800В-1200В, Iпр. = 40А. 19.Силовые модули разных сборок МВ431 Верхний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1200В, Imax = 100А. МВ432 Верхний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1700В, Imax = 100А. МВ441 Верхний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1200В, Imax = 200А, 300А, 400А. МВ442 Верхний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1700В, Imax = 200А, 300А, 400А. МН421 Нижний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1200В, Imax = 50А, 75А. МН422 Нижний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1700В, Imax = 50А, 75А. МН431 Нижний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1200В, Imax = (75)100А. МН432 Нижний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1700В, Imax = (75)100А. МН441 Нижний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1200В, Imax = 200А, 300А, 400А. МН442 Нижний чоппер: кремниевый диод с малым временем обратного восстановления и биполярный транзистор с изолированным затвором. Umax = 1700В, Imax = (150)200А, 300А, 400А. МП431 Полумост: два биполярных транзистора с изолированным затвором. Umax = 1200В, Imax = 100А. МП432 Полумост: два биполярных транзистора с изолированным затвором. Umax = 1700В, Imax = 100А. МП441 Полумост: два биполярных транзистора с изолированным затвором и с дополнительным диодом. Umax = 1200В, Imax = 150А, 200А, 300А. МП442 Полумост: два биполярных транзистора с изолированным затвором и с дополнительным диодом. Umax = 1700В, Imax = (150)100А. МП441Т Трёхфазный мост: шесть биполярных транзистора с изолированным затвором. Umax = 1200В, Imax = 20А. МП442Т Трёхфазный мост: шесть биполярных транзистора с изолированным затвором. Umax = 1700В, Imax = 50А. МПД431 Полумост: два биполярных транзистора с изолированным затвором и с дополнительным диодом. Umax = 1200В, Imax = 100А. МПД432 Полумост: два биполярных транзистора с изолированным затвором и с дополнительным диодом. Umax = 1700В, Imax = 100А. МТ/Д3-40 Диод и тиристор. Uобр.max = 400В-1200В, Iпр. = 40А. 20. КСДИ-структуры Диаметр до 200 мм (серийно выпускаются-100 мм, в опытном производстве -125 мм) Прогиб (типовой) -10 мкм для 100 мм -15 мкм для 125 мм Толщина -5...100 мкм Рельеф системы : poly-Si, SiO2, mono-Si - менее 0.5 мкм Толщина SiO2 -до 0.5 мкм Напряжение пробоя - до 2000 В Процент выхода годных структур - 98 % Разброс по толщине "карманов" - ± 3 мкм Последние изменения:  Copyright © 1999 НТЦ СИТ Оперативная поддержка - Коновалов Сергей (ksa@sitsemi.ru)